YbF3（フッ化イッテルビウム）の特性
| 屈折率 | 1.52(550nm近辺)※３ |
|---|---|
| 使用波長域 | 0.22-12μm ※３ |
| 蒸発方法 | EB（電子ビーム）、抵抗加熱 |
| 蒸発源材料 | モリブデン、タンタル |
| 蒸発タイプ | - |
| 膜質 | - |
| 応力 | - |
| 主な用途 | 赤外域用の各種光学部品 |
| 理論密度 | 8.2g/cm3 |
|---|---|
| 融点 | 1157℃ |
| 沸点 | 2230℃ |
| 性質 | 可溶（HNO3)、不溶（水） ※１ |
| 結晶構造 | 斜方 YF3型 高温で六方晶に転移 ※２ |
| 抵抗率ρ/10^-8Ωm | - |
| 誘電率、比誘電率εγ | - |
| 熱膨張係数 | - |
| 熱伝導率（cal/cm/sec/℃） | - |
| 比熱(cal/℃/mole) | - |
| 外観 | 白色 |
| CAS-NO | |
| 輸送情報 | 輸出貿易管理令（リスト規制非該当） |
参照文献
- ※１：［日本化学会編，“化学便覧 基礎編 改訂5版”，丸善（2005），p.Ⅰ-358］
- ※２：［日本化学会編，“化学便覧 基礎編 改訂5版”，丸善（2005），p.Ⅱ-836］
- ※３：光学薄膜と成膜技術 李正中 署 株式会社アルバック訳 アグネ技術センター２００５年８月３０日初版第三刷
専門誌等で発表されているYbF3の薄膜に関する研究論文
| 掲載誌 | Thin Solid Films, 333(1998)191-195 |
|---|---|
| タイトル | "Ion beam-assisted deposition of MgF2 and YbF3 films" |
| 著者 | M.Kennedy, D.Ristau, H.S.Niederwald |
| 概要 | イオンアシスト蒸着(IAD)によるMgF2とYbF3の各単層膜について、室温での蒸着におけるイオンエネルギー、イオン電流、異なる導入ガスによる光学的、機械的特性の変化について調査した研究論文 |
スポンサーリンク
>「YbF3（フッ化イッテルビウム、Ytterbium Fluoride）の特性」についての先頭へ
- YbF3（フッ化イッテルビウム）のメーカー一覧
- 受託成膜や成膜サービスを行っている企業の一覧
- 蒸着材料のメーカー一覧
- スパッタリングターゲットのメーカー一覧
- CVD材料のメーカー一覧
- 溶射材料のメーカー一覧
YbF3（フッ化イッテルビウム、Ytterbium Fluoride）の関連記事
薄膜の材料特性
酸化物の薄膜
- Al2O3（酸化アルミニウム、アルミナ）
- CeO2（酸化セリウム）
- Cr2O3（酸化クロム）
- Ga2O3（酸化ガリウム）
- HfO2（酸化ハフニウム、ハフニア）
- NiO（酸化ニッケル）
- MgO（酸化マグネシウム、マグネシア）
- I.T.O（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）酸化インジウムスズ
- Nb2O5（五酸化ニオブ）
- Ta2O5（五酸化タンタル）
- Y2O3（酸化イットリウム、イットリア）
- WO3（酸化タングステン）
- TiO（一酸化チタン）
- Ti3O5（五酸化チタン）
- TiO2（二酸化チタン、チタニア）
- ZnO（酸化亜鉛）
- ZrO2+TiO2（複合酸化物）
- ZrO2（酸化ジルコニウム、ジルコニア）
フッ化物の薄膜
- AlF3（フッ化アルミニウム）
- CaF2（フッ化カルシウム）
- CeF3（フッ化セリウム）
- LaF3（フッ化ランタン）
- LiF（フッ化リチウム）
- NaF（フッ化ナトリウム）
- MgF2（フッ化マグネシウム）
- NdF3（フッ化ネオジウム）
- SmF3（フッ化サマリウム）
- YbF3（フッ化イッテルビウム）
- YF3（フッ化イットリウム）
- GdF3（フッ化ガドリニウム）
